内容简介
《化合物半导体器件》介绍了化合物半导体物理的基础知识和原理。全书共8章，主要内容为：半导体器件物理的基础内容、化合物半导体材料及其基本电学特性；化合物半导体器件的种类及其特性，包括双极型器件、异质结器件、场效应器件、量子效应、热电子器件和光电子器件；宽禁带半导体材料与器件。
推荐理由
《化合物半导体器件》为研究生教育书系，电子科学与技术学科之一。
目录
第1章 绪论
1. 1 历史和动态
1. 2 内容安排和说明
参考文献
第2章 化合物半导体材料与器件基础
2. 1 半导体材料的分类
2. 1. 1 元素半导体
2. 1. 2 化合物半导体
2. 1. 3 半导体固溶体
2. 2 化合物半导体材料特性
2. 2. 1 晶格结构
2. 2. 2 晶体的化学键和极化
2. 2. 3 能带结构
2. 2. 4 施主和受主能级
2. 2. 5 迁移率
2. 3 化合物半导体器件的发展方向
思考题
参考文献
第3章 半导体异质结
3. 1 异质结及其能带图
3. 1. 1 异质结的形成
3. 1. 2 异质结的能带图
3. 2 异型异质结的电学特性
3. 2. 1 突变异质结的伏安特性和注入特性
3. 2. 2 界面态的影响
3. 2. 3 异质结的超注入现象
3. 3 量子阱与二维电子气
3. 3. 1 二维电子气的形成及能态
3. 3. 2 二维电子气的态密度
3. 4 多量子阱与超晶格
思考题
参考文献
第4章 异质结双极晶体管
4. 1 HBT的基本结构
4. 1. 1 基本的HBT结构
4. 1. 2 突变结和组分渐变异质结
4. 2 HBT的增益
4. 2. 1 理想HBT的增益
4. 2. 2 考虑界面复合后HBT的增益
4. 2. 3 HBT增益与温度的关系
4. 3 HBT的频率特性
4. 3. 1 最大振荡频率
4. 3. 2 开关时间
4. 3. 3 宽带隙集电区
4. 4 先进的HBT
4. 4. 1 SiSiGeHBT
4. 4. 2 ⅢⅤ族化合物基HBT
思考题
参考文献
第5章 化合物半导体场效应晶体管
5. 1 金属半导体肖特基接触
5. 1. 1 能带结构
5. 1. 2 基本模型
5. 2 金属半导体场效应晶体管（MESFET）
5. 2. 1 MESFET器件结构
5. 2. 2 工作原理
5. 2. 3 电流—电压特性
5. 2. 4 负阻效应与高场畴
5. 2. 5 高频特性
5. 2. 6 噪声理论
5. 2. 7 功率特性
5. 3 调制掺杂场效应晶体管
5. 3. 1 调制掺杂结构
5. 3. 2 基本原理
5. 3. 3 电流—电压特性
思考题
参考文献
第6章 量子器件与热电子器件
6. 1 隧道二极管
6. 1. 1 穿透系数
6. 1. 2 电流—电压特性
6. 2 共振隧道二极管（ResonantTunnelingDiode，RTD）
6. 2. 1 谐振隧穿结构
6. 2. 2 谐振隧道二极管电流—电压特性
6. 3 热电子器件
6. 3. 1 热电子异质结双极晶体管
6. 3. 2 实空间转移晶体管（realspacetransfertransistor）00
6. 3. 3 隧穿热电子晶体管
思考题
参考文献
第7章 半导体光电子器件
7. 1 半导体的光学性质
7. 1. 1 光的本质
7. 1. 2 辐射跃迁
7. 1. 3 光的吸收
7. 1. 4 光伏效应
7. 2 太阳能电池
7. 2. 1 pn结光电池的电流—电压特性
7. 2. 2 pn结光电池的等效电路
7. 2. 3 转换效率
7. 2. 4 砷化镓太阳能电池
7. 2. 5 ⅡⅥ族化合物太阳能电池
7. 2. 6 铜铟硒太阳能电池
7. 3 光电探测器件
7. 3. 1 光敏电阻
7. 3. 2 光电二极管
7. 4 发光二极管和半导体激光器
7. 4. 1 可见光发光二极管
7. 4. 2 红外发光二极管
7. 4. 3 半导体激光器
思考题
参考文献
第8章 宽带隙化合物半导体器件
8. 1 宽带隙半导体材料基本特性
8. 2 碳化硅器件及其应用
8. 2. 1 碳化硅微波功率器件
8. 2. 2 碳化硅功率器件
8. 2. 3 碳化硅探测器件
8. 3 GaN器件及其应用
8. 3. 1 GaN微波功率器件
8. 3. 2 GaN基光电器件
8. 3. 3 其他GaN基电子器件
8. 4 其他宽禁带半导体器件
8. 4. 1 单光子器件
8. 4. 2 宽禁带半导体纳米结构器件
8. 4. 3 基于GaN的子带间跃迁光开关
8. 4. 4 氮化物光催化剂
思考题
参考文献
……
