本书在概述微电子技术〔含三代半导体及大规模集成电路〕的全貌和发展趋势之后，首先阐述了各类微电子基本器件技术，然后按半导体制造工程顺序分别叙述大规模集成电路从设计、工艺、生产到封装、测试、可靠性等较全面的系列知识和先进技术，并重点突出新型的SoC技术和MEMS技术，最后介绍了通用微电子器件重点门类及应用。本书反映了微电子学主要研究领域里学科发展的前沿技术。
读者对象：从事军、民电子信息技术及与半导体有关联业务的广大读者，微电子技术领域的研究部门、教育部门、产业部门、国防工业部门的大专以上科技人员，以及大专及以上院校相关专业师生。

第1章　绪论
1.1 从0.5um、0.251Jm、0.139m到90nt0、65nm、lunm——看集成电路工艺技术的突飞
1.1.1 不断缩小特征尺寸——提高芯片集成度和性价比的有效手段
1.1.2　逐步增大圆片面积——提高芯片成品率和降低成本的最佳捷径
1.1.3探索新的发展空间
1.2　从LSI、VLSI到GLSI／SoC——看集成电路设计技术的猛进
1.2.1　集成电路产业“龙头”——LSI设计
1.2.2　设计成功的保证——先进设计工具
1.2.3　设计技术的新革命——片上系统〔Sot〕
1.2.4　面临超深亚微米、纳米电路的设计挑战
　1.3　从Ge、Si、GaAs、InP到SiC　GaN——看第三代半导体的发展
1.3.1 半导体材料的电子能带及特性参数
1.3.2　元素半导体——Ge、Si
1.3.3　化合物半导体——GaAs、InP
1.3.4 宽带隙半导体——C、GaN
1.3.5　半导体材料新探索
1.4　从MEMS、NEMS到生物芯片、有机半导体——看微电子技术向其他学科拓展
第2章 基本器件技术
2.1 硅器件技术
2.1.1 MOS器件技术
2.1.2 双极晶体管技术
2.1.3　功率电子器件技术
2.2　化合物器件技术
2.2.1　GaAs器件技术
2.2.2　InP基HEMT技术
2.2.3　SiGe器件技术
2.3　新型半导体器件技术
2.3.1　宽带隙半导体技术
2.3.2　量子器件技术
2.3.3　纳米电子器件技术
2.3.4　有机半导体器件技术
参考文献
第3章　设计技术
3.1 集成电路发展与设计历程
3.1.1　集成电路的发展历程
3.1.2　集成电路的分类
3.1.3　集成电路设计的要求
3.1.4　集成电路设计和制造的关系
3.1.5　集成电路设计和EDA软件的关系
3.2　硅集成电路设计技术
3.2.1　等比例缩小定律
3.2.2　集成电路设计方法学
3.2.3　集成电路设计流程
3.2.4　集成电路设计验证技术
3.2.5　可测性设计技术
3.2.6　硅集成电路设计技术的挑战
3.3　GaAs电路设计技术
3.3.1　GaAs微波单片电路〔MMIC〕设计
3.3.2　GaAs超高速电路〔VHSIC〕设计
参考文献
第4章　工艺技术
第5章　大生产技术
第6章　封装测试技术
第7章　微电子机械系统〔MEMS〕技术
第8章　片上系统〔SoC〕技术
第9章　可靠性技术
第10章　重点类别及其应用
缩略语

第1章　绪论
　　1.2　从LSI、VLSI到GLSI／SoC——看集成电路设计技术的猛进　　
自发明集成电路至今40多年以来，从LSI到GLSI，从电路集成到系统集成〔SoC〕，在经历IC产业多次变革和分工的过程中，集成电路设计技术也紧随着工艺技术在高速发展。
超大规模集成电路设计技术与工艺技术发展相互依存，但一直以来，集成电路的设计能力和工具能力总是落后于半导体工艺技术的发展。
集成电路设计企业的诞生和设计服务模式的变迁，得益于集成电路制造业〔Foundry代工线〕的高速发展。特别是Febless〔无工艺线的新兴集成电路设计公司〕方式诞生之后，其灵活的经营模式显示出旺盛的生命力，由于紧跟向各业渗透的半导体应用市场，注重于产品的创新设计，在IP重用技术和片上系统诞生以后，集成电路设计业又呈现了新的更专业化的分工趋势，一些设计公司专门从事IP设计，与代工的Foundry线接口；而另一些公司则购买这些IP权成果并同整机系统挂钩，应用IP重用技术，高效完成片上系统集成；再加上与之相关的集成电路制造业〔Foundry代工线〕、封装业、测试业等服务体系日趋完善和代工价格便宜，使Fabless能以超常速度发展，牵动集成电路设计业崛起，成为集成电路产业的“龙头”，为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。
VLSI发展到深亚微米〔DSM〕阶段，使得在单个芯片上集成并设计制作电子系统所需要的几乎所有元件成为可能。目前在一个芯片上已经可以集成10亿个～20亿个晶体管，因而已有可能将一个子系统乃至整个系统集成在一个芯片上。
　 ……