高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thin film transistor ,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。
全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复。包括TFT阵列制作清洗工艺，成膜工艺，光刻工艺，不良解析和检查修复。从TFT阵列大规模制造的角度，第一次比较全面的介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术，工艺参数，生产工艺技术管理，工艺材料规格，设备特性，品质控制，产品技术解析。以工艺原理，设备参数控制，材料特性要求，生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整的介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。
　　本书可作为平板显示行业工程师，技术人员，管理人员的参考用书，也可供高等院校相关专业方向研究人员，研究生以及相关行业从业人员参考。

引言
　一、平板显示——人类智慧之窗
　二、薄膜晶体管的技术特点
第一章　TFT LCD生产线建设
　1.1　TFT-LCD项目准备工作
　1.2 投资估算
　1.3 厂房建设
　1.4 净化系统
　1.5　信息管理系统
　1.6　技术管理系统
　1.7　TFT阵列制造的主要设备
　1.8　TFT阵列制造的设计技术和研发
第二章　TFT元件的结构及特点
　2.1　场效应晶体管的工作原理
　2.2　非晶硅TFT的结构与特点
　2.3　TFT阵列
第三章　TFT工艺概述
　3.1　阵列工艺的主要设备
　3.2　阵列工艺的主要原材料
　3.3 7次光刻的简要回顾
　3.4 TFT 5次光刻的工艺技术
　3.5 4次光刻技术
　3.6 多晶硅和高迁移率TFT技术
　3.7 硅基液晶显示技术
　3.8 TFT阵列工艺技术课题
　3.9 TFT制造统计过程控制
第四章 TFT阵列制作清洗工艺
　4.1　污染物来源及分类
　4.2　洗净原理及方法
　4.3　洗净材料
　4.4　洗净设备
　4.5　清洗工艺条件的确定
　4.6　清洗作业安全及作业异常处置
　4.7　洗净工艺展望
第五章　溅射成膜（金属膜）
　5.1　溅射技术历史的简短回顾
　5.2　溅射原理及分类
　5.3　溅射材料
　5.4　溅射设备
　5.5　溅射工艺条件的确定
　5.6　金属膜质量控制
　5.7　溅射作业安全及异常处理
第六章　CVD成膜（非金属膜）
　6.1　化学气相沉积技术原理及分类
　6.2　CVD材料
　6.3　CVD设备
　6.4　CVD工艺条件的确定
　6.5　TFT元件特性的简单讨论
　6.6　CVD成膜设备的回顾与展望
第七章　曝光与显影工艺技术
　7.1　工艺原理
　7.2　曝光工艺材料——光刻胶
　7.3　曝光工艺设备
　7.4　工艺条件的确定
　7.5　灰度掩模板光刻工艺
　7.6　曝光量与光刻胶形状评价
　7.7　工艺管理与设备日常点检
　7.8　显影
第八章　湿刻工艺技术
　8.1　湿法刻蚀原理
　8.2　湿刻工艺
　8.3　湿法刻蚀设备
　8.4　工艺性能要求
　8.5　工艺参数
　8.6　湿刻工艺中常见的缺陷
第九章　干刻工艺技术
　9.1　等离子体干刻原理
　9.2　干刻设备
　9.3　干刻工艺
　9.4　硅岛刻蚀工艺
　9.5　光刻胶刻蚀工艺
　9.6　沟道刻蚀工艺
　9.7　接触孔刻蚀工艺规范
第十章　光刻胶剥离与退火
　10.1　光刻胶剥离原理与材料
　10.2　工艺要求
　10.3　装置介绍
　10.4　重要工艺参数
　10.5　工艺条件设定
　10.6　日常点检
　10.7　退火
第十一章　缺陷解析技术
　11.1　缺陷解析基础
　11.2　TFT阵列缺陷的分类与代码
　11.3　缺陷解析的主要工具
　11.4　缺陷解析流程
　11.5　主要缺陷解析
　11.6　TN型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
　11.7　超精细宽视角型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
第十二章　TFT检查与修复
　12.1　阵列检查流程
　12.2　流程设定
　12.3　检测设备
　12.4　宏观/微观检查
　12.5　自动外观检查装置
　12.6　激光修复和激光CVD装置
　12.7　阵列测试检查装置
　12.8　断路和短路电气检查装置
　12.9　附录TN 4 Mask产品图案检查操作规格书
第十三章　TFT制造工艺小结与技术展望
　13.1　TFT阵列制造工艺小结
　13.2　TFT平板显示技术展望
参考文献