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光纤通信用光电子器件制作工艺基础——现代通信技术应用丛书
光纤通信用光电子器件制作工艺基础——现代通信技术应用丛书
商品编号:JSFXW20091129134315 版号:9787563509652
开    本: 装帧:平装
版    次:2005-2-1 第一版
发行单位:江苏发行网
出版单位:北京邮电大学出版社
著 作 者:黄章勇
商品数量:2本 被浏览284次  热卖中
商品折扣:8.1 折  赠送积分:0分  共节省6.50元
商品价格: ¥34.00元
¥27.50元
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本书较全面地介绍了光纤通信用光电子器件和组件的制作工艺(包括工艺理论基础和可供参考的工艺数据)。它从激光二极管、光探测器、光调制器和半导体光放大器等主要光电子器件的结构入手,论述为实现这些结构所必须的主要制作工艺技术,重点介绍了Si基和Ⅲ-V族化合物基光电子器件的材料制备(包括各种外延生长技术)、光刻和腐蚀、掺杂、介质膜和金属膜制备、器件和组件的组装和封装等工艺技术。
本书是编著者多年工作经验之积累,也展示制作工艺中的最新技术,是一部光纤通信用光电子器件较为全面的制作工艺类技术书。该书可供从事光纤通信用光电子器件的设计、研究、制作人员的使用和参考,也可供大专院校光通信、光电子技术专业师生使用和参考。


作者简介


黄章勇,1945年5月22日出生,汉族,浙江义乌市人。现任深圳飞通光电股份有限公司董事、总裁,教授级高级工程师,北京邮电大学兼职教授(博士生导师),哈尔滨工业大学深圳研究生院兼职教授,美国光学学会会员,中国电子学会半导体与集成技术分会委员,信息产业部通信科技委电信传输专家咨询组成员。1968年成都电讯工程学院(现电子科技大学)电子器件设计与制造专业毕业,1981年获北京邮电大学工学硕士学位。长期从事光电子器件的研究开发,先后主持0.9微米、1.06微米硅光电二极管、钛扩散LiNbO3波导及其开关/调制器、1.3微米和1.55微米激光二极管等研究,获电子部科技成果一等奖、国家科技进步二等奖、广东省科技进步二等奖。1991年被国家教委、国务院学位委员会授予“做出突出贡献的中国硕士学位获得者”称号,1996年经国务院批准为享受政府特殊津贴人员,2003年荣获“深圳市首届创业企业家”称号。迄今,先后在国内外发表学术论文近40篇,并于2001年和2003年出版著作《光纤通信用光电子器件与组件》、《光纤通信用新型光无源器件》。
从1998年起致力于光纤通信光电子器件产业化,1993年创立深圳飞通光电股份有限公司,成为国际著名的光电子器件生产基地和出口基地,科技部认定为国家“863”计划成果产业化基地和国家火炬计划重点高新技术企业,2001年3月被评为“863”计划先进集体,2003年12月被国家人事部获准设立“博士后科研工作站”。


目录


第1章 器件与工艺技术物理基础
1.1 能带概念
1.2 本征半导体与态密度
1.3 施主与受主
1.4 杂质电离
1.5 载流子的运动
1.6 p-n结
1.7 p-n结击穿
1.8 异质结
第2章 光电子器件的基本结构及其关键制作工艺
2.1 激光二级管的基本结构和制作
2.2 光电探测器的结构和制作
2.3 半导体放大器的结构和制作
2.4 光调制器的结构与制作
2.5 半导体光开关的结构和制作
2.6 集成光电子器件的结构和制作
第3章 光电子器件的材料制备技术
3.1 基底片制备
3.2 光电子器件用Si基材料的制备
3.3 光电子器件用Ⅲ-V族化合物半导体材料和外延生长
3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生长
3.5 Ⅲ-V族化合物的卤化物输运汽相外延生长
3.6 金属有机化合物汽相淀积
3.7 分子束外延生长
3.8 化学束外延生长
3.9 原子层、分子层外延生长
3.10 Ⅲ-V族化合物低维半导体材料的制备技术
3.11 光子晶体薄膜有其制备
3.12 异质材料的晶片键合技术
3.13 光电子器件外延层质量检测
第4章 光电子器件制作中的光刻和腐蚀
第5章 光电子器件的掺杂技术
第6章 光电子器件中的介质薄膜及其制备
第7章 光电子器件的电极金属膜及其制备
第8章 光电子器件和组件的组装和封装
第9章 光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测
附录 英文缩写词
参考文献

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