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模拟电子技术重点难点剖析与解题指导
模拟电子技术重点难点剖析与解题指导
商品编号:JSFXW20091208163222 版号:9787810534871
开    本:16开 印张:203 装帧:平装
版    次:2002-6-1 1版
发行单位:江苏发行网
出版单位:湖南大学出版社
著 作 者:蔡明生,孔照荣
商品数量:2本 被浏览199次  热卖中
商品折扣:8 折  赠送积分:0分  共节省3.60元
商品价格: ¥18.00元
¥14.40元
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内容简介


本书是以教育部高等工科院校电子技术课程教学指导小组制定的《电子技术基础课程教学基本要求》为依据,以目前国内各高校普遍使用的几套《电子技术基础》教材为背景而编写的一本模拟电子技术基础辅导教材。全书共分九章,每章分为基本知识综述及重点剖析、典型例题精解、习题选编及答案三个层次。基本知识综述用文字、图表简练地归纳、总结教学基本内容;重点难点剖析对重点作提示,对疑难和易出错的问题进行剖析;典型例题精解选取覆盖基本教学内容的各种题型作较详细的分析解答;习题收集尽可能广泛,各题附有提示和答案。
  本书可作为本、专科学生学习模拟电子技术的课程辅导教材,亦可作为理工科研究生入学考试的备考复习用书;还可作为担负相关课程教师的教学参考书。


目录


第1章 半导体二极管及其基本应用电路
 1.1 半导体的基础知识
  1.1.1 基本知识综述及重点难点剖析
  1.1.2 习题选编及答案
 1.2 PN结及半导体二极管
  1.2.1 基本知识综述及重点难点剖析
  1.2.2 典型例题精解
  1.2.3 习题选编及答案
 1.3 特殊二极管
  1.3.1 基本知识综述及重点难点剖析
  1.3.2 典型例题精解
  1.3.3 习题选编及答案
第2章 半导体三极管及其放大电路
 2.1 半导体三极管
  2.1.1 基本知识综述及重点难点剖析
  2.1.2 典型例题精解
  2.1.3 习题选编及答案
 2.2 三极管共射极放大电路
  2.2.1 基本知识综述及重点难点剖析
  2.2.2 典型例题精解
  2.2.3 习题选编及答案
 2.3 放大电路三种组态比较、组合单元及多级放大器
  2.3.1 基本知识综述及重点难点剖析
  2.3.2 典型例题精解
  2.3.3 习题选编及答案
 2.4 放大电路的频率特性
  2.4.1 基本知识综述及重点难点剖析
  2.4.2 典型例题精解
  2.4.3 习题选编及答案
第3章 场效应管及其放大电路
 3.1 场效应管的类型和特性
  3.1.1 基本知识综述及重点难点剖析
  3.1.2 典型例题精解
  3.1.3 习题选编及答案
 3.2 场效应管放大电路的分析
  3.2.1 基本知识综述及重点难点剖析
  3.2.2 典型例题精解
  3.2.3 习题选编及答案
第4章 功率放大电路
 4.1 功率放大电路的特殊问题
 4.2 乙类互补功放电路
  4.2.1 基本知识综述及重点难点剖析
  4.2.2 典型例题精解
  4.2.3 习题选编及答案
 4.3 甲乙类互补功放电路
  4.3.1 基本知识综述及重点难点剖析
  4.3.2 典型例题精解
  4.3.3 习题选编及答案
第5章 集成运算放大器
 5.1 集成运算放大器基本知识
 5.2 集成电路中的电流源电路
  5.2.1 基本知识综述及重点难点剖析
  5.2.2 典型例题精解
  5.2.3 习题选编及答案
 5.3 差分放大电路
  5.3.1 基本知识综述及重点难点剖析
  5.3.2 典型例题精解
  5.3.3 习题选编及答案
第6章 负反馈放大电路
 6.1 反馈的基本概念及组态判断
  6.1.1 基本知识综述及重点难点剖析
  6.1.2 典型例题精题
  6.1.3 习题选编及答案
……
第7章 信号的运算与处理电路
第8章 信号产生电路
第9章 直流稳压电流
附录
参考文献


 先读为快


第1章 半导体二极管及其基本应用电路
半导体二极管是由PN结构成的一种最基本的半导体器体,在电子线路中有着广泛的应用。
本章在介绍半导体的基础知识、PN结的形成及特性的基础上,讨论半导体二极管的特性及参数。重点分析由半导体二极管组成的基本应用电路,并讨论几种特殊的半导体二极管及其应用。
  1.1 半导体的基础知识
  1.1.1基本知识综述及重点难点剖析
  一、基本知识综述
  1.半导体的定义
  按导电性能的不同,物质可分为导体、绝缘体和半导体。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常见的半导体材料有:硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。
  2.半导体的特性
  半导体材料的导电能力随温度、光照和掺入某些杂质而发生显著变化(即通常所指的半导体材料具有热敏效应、光敏效应和掺杂效应)。
3.半导体的晶体结构——共价键结构
原子结构:硅和锗都是四价元素,其原子结构中最外层轨道上有四个价电子。由于半导体的导电性能与价电子密切相关,为了突出价电子的作用,常采用图1.1.1所示的原子简化模型。图中圆圈内的数字表示原子核具有的正电荷数,虚线上的黑点表示电子。
晶体结构——共价键结构:在纯净的单晶半导体中,原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵(称晶格),因原子间相距很近,价电子不仅受自身原子核的约束,还要受相邻原子核吸引,使得每个价电子为相邻原子所共有,从而形成共价键。图1.1.2表示了单晶硅或锗的共价键结构。共价键中的电子,由于受到原子核的吸引,不能在晶体中自由移动,在绝对零度(一273 0C)时,所有价电子都被束缚在共价键内,晶体中无自由电子,所以半导体不能导电。
4.半导体中的两种载流子——自由电子和空穴
当温度升高时,共价键内的价电子因热激发而获得能量。其中获得能量较大的一部分价电子,挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键中就留下与自由电子数目相同的空位,这些空位叫做空穴。图1.1.2同时也表示一个电子脱离共价键而留下空位的情况,空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点(导体中只存在自由电子)。
  ……

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