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硅纳米线分析
硅纳米线分析
商品编号:JSFXW20091210100807 版号:9787811130140
开    本: 印张:287 装帧:精装
版    次:2006-3-1 1版
发行单位:江苏发行网
出版单位:湖南大学出版社
著 作 者:唐元洪
商品数量:2本 被浏览235次  热卖中
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商品价格: ¥48.00元
¥39.40元
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内容简介


本英文专著是国内外第一部介绍硅纳米线的著作。作者论述了硅纳米线的制备、结构、性能和应用;引用了国内外大量的原始文献,结合自己的实验,阐述了硅纳米线的背景、现状和前景。作者还通过X射线衍射分析、拉曼光谱、能量色散X射线光谱、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜等设备拍摄了大量硅纳米线及其相关纳米线的照片。本书附有中文译文、参考文献等。该书的主要内容曾获首届香港城市大学优秀博士学位论文奖及2005年度的中国国家自然科学二等奖。


 本书作者


唐元洪,岳麓学者,985首席科学家,教育部首届新世纪优秀人才、湖南省新世纪121人才,教育部高校材料物理与化学教学指导委员会委员,湖南大学材料科学与工程学院副院长、纳米技术信息材料研究所所长。1981年毕业于湖南大学附属中学;2000-2002年在加拿大西安大略大学从事博士后工作;2002-2003年任加拿大科学院客座研究员,获得加拿大国家自然科学与工程委员会客座研究员奖。多年从事硅纳米线/管、碳纳米线/管及纳米金刚石薄膜等纳米信息材料的研究与开发,主持多项国家级、省部级的科研项目。近几年来,在Physical Review Letters、Advance Materials、Applied Physicals Letters等国际著名杂志上发表论文30余篇,都被SCI收录。在世界上首次制得硅纳米管,并申请国际发明专利已通过实质性审查,在纳米科学与技术领域部分成果达到国际领先水平。


目录


1 INTRODUCTION
 1.1 Silicon and its significance
 1.2 Overview of one-dimensional materials
 1.3 From three-dimensional to one-dimensional silicon
 1.4 Progress in silicon nanowires research
2 OBJECTIVES OF THE PROJECT
3 RESEARCH METHODOLOGY
 3.1 Principle of the laser ablation method
 3.2 Experimental
4 CHARACTERIZATION OF SILICON NANOWIRES
 4.1 Morphologies of silicon nanowires
 4.2 Structure of silicon nanowires
 4.3 Special morphologies
 4.4 Photoluminescenee(PL)
 4.5 Effects of growth conditions
  4.5.1 Different carrying gases
  4.5.2 Different starting materials
  4.5.3 Surface morphology of the target
 4.6 Synthesis by direct thermal evaporation
5 DISCUSSION ON GROWTH MECHANISM
6 APPLICATIoNS oF SILICoN NANOWIRES
7 SYNTHESIS AND CHARACT ERIZATIoN oF RELATED NANoWIRES
 7.1 Germanium nanowires
 7.2 Germanium dioxide nanowires
 7.3 Amorphous carbon nanowires
8.CoNCLUSIoNS
9.LIST AND ABSTRACT oF PUBLICATIoNS
10.APPENDICES CHINESE TRANSLATION
REFERENCE
LIST 0F FIGURES AND TABLES
ACKNOWLEDGMENTS

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